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標題：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐
產品概述
產品名稱：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐
一、概述
爐管可選擇配置耐熱鋼、石英玻璃、陶瓷管等材料。
可分為單溫區、雙溫區、三溫區等多種管式爐型。
二、規格、型號
型號：BGS-10-11
爐管尺寸：?133×1200mm(外徑X長度)
爐管材質：SUS310S不銹鋼
燒結時間：可根據產品工藝調節
爐體表面溫升：≤45℃(與環境溫度)
三、技術參數
額定功率：≈10KW(實際功率由儀表自動控制調節)
控制精度：±1℃(恒溫狀態下)
升溫速率：0-15℃/min
爐腔及保溫材料：氧化鋁陶瓷纖維
控制方式：可控硅移相調壓
注：半導體元器件燒結爐 高溫管式爐等其他型號規格可以根據用戶實際需求設計，價格僅參考，歡迎咨詢詳談。
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